【专利】一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片及其制备方法(专利号:201911341977.9)

专利号：201911341977.9
专利状态：审中-公开
专利类型：[发明]
专利申请人：江西德瑞光电技术有限责任公司
专利分类号：H01S5/183(20060101)
专利摘要：公开（公告）日:2020-05-12摘要:本发明公开了一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片及其制备方法，包括依次设置的衬底、n型掺杂DBR、中间介质层、量子阱有源层、中间介质层、p型掺杂DBR和帽层；所述衬底的上表面设置有抗反射涂层和n面金属接触层电极，所述抗反射涂层和n面金属接触层电极之间形成沟槽结构一；所述帽层远离所述p型掺杂DBR的端面上设有SiO2钝化介质层和顶部接触层；所述SiO2钝化介质层和顶部接触层的下表面设有p面金属接触层电极；所述p型掺杂DBR和帽层、SiO2钝化介质层、顶部接触涂层、p面金属接触层电极上设有竖直的沟槽结构二。本发明载流子限制作用好、性能更好。