【专利】大规模单片集成的硅基III(专利号:202010116917.3)

专利号：202010116917.3
专利状态：审中-公开
专利类型：[发明]
专利申请人：中国科学院半导体研究所
专利分类号：H01S5/22(20060101)
专利摘要：公开（公告）日:2020-06-19摘要:一种大规模单片集成的硅基III?V族电泵激光器及其制备方法，该制备方法包括在图形化的SOI衬底上生长III?V族波导结构，制备第二二氧化硅层，仅保留III?V族波导结构相邻的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层；去除SOI衬底的顶层硅，仅保留第一二氧化硅层和III?V族波导结构下方的顶层硅；制备电极A金属、电极B金属、电极C金属，完成器件制备。本发明提供了一种无需腐蚀掉或者绝缘掉任何III?V族波导结构就能制备出适合金线焊接的金属电极制备方案，从而实现电注入；该方案不仅解决了因器件尺寸小和周期小而造成的难以焊接金线的问题，而且不浪费任何一个硅基III?V族波导结构，非常有利于超大规模硅基光电子单片集成。