【专利】电泵浦量子点单光子源及其制备方法(专利号:201811389487.1)

专利号：201811389487.1
专利状态：审中-公开
专利类型：[发明]
专利申请人：中国科学院半导体研究所
专利分类号：H01L33/06(20100101)
专利摘要：公开（公告）日:2020-05-26摘要:本发明提供了一种电泵浦量子点单光子源及其制备方法，方法包括：步骤S101：准备III?V族化合物量子阱发光芯片；步骤S102：在III?V族化合物量子阱发光芯片上制作金属孔；步骤S103：在步骤S102制出的芯片表面引入量子点，完成器件的制作，本发明电泵浦量子点单光子源及其制备方法缓解了现有技术中存在的光泵浦量子点单光子源的实用性和便携性较差，及量子点单光子源的发光效率低的技术问题，达到了提高单光子源的实用性和便携性，及提高量子点单光子源的发光效率的技术效果。