专利号:201911291092.2
专利状态:审中-公开
专利类型:[发明]
专利申请人:上海南芯半导体科技有限公司
专利分类号:H02M3/07(20060101)
专利摘要:公开(公告)日:2020-04-21摘要:本发明公开了一种中等功率低成本的电荷泵充电方法,利用SC8551或更低成本的同类电荷泵架构高压直充芯片配合目前市面上常用且成本很低的200mV一档调压范围的充电头,实现20瓦?30瓦左右较低功率的高压直充。U1为SC8551或上海南芯同系列电荷泵高压直充芯片,可以实时检测USB接口电压,即VAC,当VAC的电压比所需工作的电压高时,通过OVP_GATE信号控制Q1的导通状态,将VBUS钳位在所需电压范围内。Q1为NMOS管,配合U1做USB接口的过压保护,以及通过U1对其控制,实现低成本USB输入电压每档200mV变化的隔离。本发明可以很好的平衡成本和充电效率,在20瓦?30瓦左右区间有很大的优势,因此,本发明具有很高的实用价值和推广价值。