【专利】含内建电场的自旋阀和包含所述自旋阀的自旋电子器件(专利号:201911124047.8)

专利号：201911124047.8
专利状态：审中-公开
专利类型：[发明]
专利申请人：中国科学院半导体研究所
专利分类号：H01L43/08(20060101)
专利摘要：公开（公告）日:2020-03-06摘要:本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层，其中所述自旋阀还包括：至少一对非磁性半导体层，设置在所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层之间，其中所述至少一对非磁性半导体层之间形成有内建电场。