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【专利】NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路(专利号:201910876179.X)

来源:互联网 时间:2020-1-24 15:59 点击:103
专利号:201910876179.X
专利状态:审中-公开
专利类型:[发明]
专利申请人:长江存储科技有限责任公司
专利分类号:H01L29/78(20060101)
专利摘要:公开(公告)日:2020-01-10摘要:一种NMOS晶体管及其形成方法、电荷泵电路,所述NMOS晶体管,包括:在所述P型衬底中形成N型深阱;在所述N型深阱中形成P型阱区;在所述P型阱区部分表面上形成栅极结构;在所述述栅极结构两侧的P型阱区内形成N型源区和N型漏区;形成环绕所述P型阱区的N型阱区,且所述N型阱区一部分位于P型阱区外侧的N型深阱中,另一部分位于N型深阱外侧的P型衬底中;将所述栅极结构连接控制电压端,将所述N型漏区作为电压输入端,所述电压输入端连接输入电压,将所述N型源区与N型阱区连接在一起作为电压输出端。本发明的NMOS晶体管可以增大电压输出端的输出电压的大小。