8月23日，国产存储芯片厂商普冉半导体(上海)股份有限公司(简称“普冉股份”，股票代码：688766)成功于科创板上市，发行905.718万股，发行价148.9元/股。至收盘时，普冉股份较发行价涨225.79%，换手率75.29%，成交额26.88亿元。
普冉股份2016年成立，承接了无锡普雅的的全部资产、业务、人员、技术。
普冉股份主营业务为非易失性存储器芯片，主要产品为NOR Flash和EEPROM两类芯片，可用于低功耗蓝牙模块、TWS耳机、手机触控、AMOLED和手机摄像头模组等方面。目前，普冉股份产品已进入小米、OPPO、vivo、华为、美的等厂商的终端产品。
报告期内，普冉股份营收增速较快，2018年-2020年各期营收分别为1.78亿元、3.63亿元和7.17亿元。
本次IPO，普冉股份计划募资3.45亿元，主要用于闪存芯片升级研发及产业化、EEPROM芯片升级研发及产业化和总部基地及前沿技术研发3个项目。
行业市场竞争格局与发展趋势分析
全球存储芯片行业集中度高，国内市场处于成长阶段
根据前瞻产业研究院分析，存储芯片，又称半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。存储芯片具有体积小、存储速度快等特点，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。
目前全球储存芯片市场被海外企业垄断。DRAM领域，三星、美光、SK海力士占据95%的市场份额;NAND Flash领域被三星、美光、SK海力士、英特尔垄断;NOR Flash领域海外垄断程度最低，旺宏、华邦、兆易创新市占率前三，合计占据70%份额。
我国具有设计存储芯片的头部企业主要包括长江存储、长鑫存储、兆易创新、紫光国芯、中芯国际以及华虹半导体等，主要存储芯片业务布局为NOR Flash及闪存芯片设计。
存储芯片有多种细分市场，以NAND Flash和DRAM存储芯片为主。长江存储作为我国NAND Flash龙头企业，完成128层NAND Flash存储芯片技术突破。Trendforce数据显示，三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC将逐步发展并成为主流。
在2018年后，中国的长江储存技术出现在世界视野中，中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目标第三季进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂。
中国存储芯片：后来居上，前途广阔
中国存储芯片厂商发展力强，成长空间较大。从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头领导，细分领域也落后于国外及台湾厂商(如NOR Flash的旺宏/华邦等)，但近年来国内厂商奋力追赶，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距，其中，兆易创新位列NOR Flash市场前三，聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三，长江存储128层3DNAND存储芯片，直接跳过96层，加速赶超国外厂商先进技术。值得注意的是，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。
总而言之，中国存储芯片行业发展形势较为乐观，但还有一段漫长的路要走。
